კომპანია Qualcomm კარგად არის ცნობილი ენთუზიასტებისთვის, რომლებიც მობილური გაჯეტებით ინტერესდებიან - მისი ჩიპები განთავსებულია ყველა სეგმენტის სმარტფონებში, დაბალბიუჯეტურიდან დაწყებული - ტოპ ვერსიებით დამთავრებული. გულშემატკივრები დიდი ხანია ელოდნენ ინფორმაციას ახალ ფლაგმანურ SoC Snapdragon 8 Gen 1+-ის შესახებ და კომპანიამ საბოლოოდ დაადასტურა: ჩიპის პრეზენტაცია პარასკევს, 20 მაისს გაიმართება. ასევე წარმოდგენილი იქნება საშუალო დონის ერთკრისტალიანი სისტემა Snapdragon 7 Gen 1.
Snapdragon 8 Gen 1+ ჩიპს, თუკი ინსაიდერების ინფორმაციას დავუჯერებთ, ექნება უფრო მძლავრი გრაფიკული პროცესორი, ვიდრე საბაზისო Gen 1 ვერსიას, აგრეთვე ახალი ჩიპი დამზადდება მსოფლიოში არსებული ერთ-ერთი მოწინავე ტექნოლოგიით - ტაივანური კომპანია TSMC-ის 4-ნანომეტრიანი ტექნოპროცესით. წარმოებისადმი ამგვარმა მიდგომამ უნდა გადაჭრას Qualcomm-ის ბოლო ფლაგმანური ჩიპების პრობლემები, როგორებიცაა Snapdragon 888 ჩიპის ძლიერად გაცხელება და შედეგად წარმადობის კარგვა ხანგრძლივ სტრეს-ტესტებში, ბენჩმარკებსა და თამაშებში. ამჟამად არსებული ცნობების თანახმად Snapdragon 8 Gen 1+ ჩიპის ბირთვების ფორმულა არ განსხვავდება Snapdragon 8 Gen 1-ის სტრუქტურისგან - წარმოდგენილი იქნება მთავარი მაღალი წარმადობის ბირთვი Cortex-X2 ტაქტის სიხშირით 3 გჰც (შესაძლოა ოდნავ მაღალი), სამი დამხმარე მაღალი წარმადობის ბირთვი Cortex-A710 და ოთხი ენერგოეფექტური Cortex-A510 ბირთვი.
